12月18日下午，機械工程學院在機械樓308室舉行“芯片封裝全銅互連技術”學術報告會。此次報告會邀請到重慶大學材料科學與工程學院教授，博士生導師沈駿主講，學院院長魏克湘以及部分教師參加。

       沈駿圍繞芯片封裝技術的發展、傳統錫基焊料的物理局限、全銅互連的優點與研究事例等方面進行詳細闡述。他通過對比傳統錫基焊料與全銅互連的優缺點指出，全銅互連是一種全部采用純銅、采用常用電子封裝溫度能實現可靠互連的艱難技術，具有高導電率、無電遷移等優點，并符合現代工業制造的要求，具有環保性能。随後，沈駿從正交實驗、焊接工藝、機理分析入手，在配方、工藝和強化方面對全銅結構的影響規律及機理進行了進一步的探究。他表示，由DSC曲線、宏觀形貌與微觀組織、力學，電氣性質和EDS曲線可分析得出：在全銅互連中，向納米銅介質材料中添加少量酚醛樹脂能獲得良好的互連結構。他還表示，使用不同大小的納米銅顆粒形成的堆積模型也能增加全銅互連的強度和密度，但對于顆粒的大小以及配比還需要開展進一步的實驗與測試。

       報告會結束後，在座老師們和沈駿互動交流，大家圍繞納米銅顆粒的高溫抗氧化性、碳殘餘量、剪切強度等幾方面展開積極探讨，沈駿積極回應并一一解答了老師們的疑問。

       此次報告會使大家對于全銅互連技術有了進一步的了解和認識，提升了學院整體的學術氛圍。